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厂商型号

FQB2P25TM 

产品描述

Trans MOSFET P-CH 250V 2.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

内部编号

3-FQB2P25TM

#1

数量:800
1+¥3.3131
25+¥3.082
100+¥3.0049
500+¥2.8508
1000+¥2.6967
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:800
1+¥3.3131
25+¥3.082
100+¥3.0049
500+¥2.8508
1000+¥2.6967
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新加坡
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#3

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FQB2P25TM产品详细规格

规格书 D2-PAK Tape and Reel Data
标准包装 800
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 250V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.3A
Rds(最大)@ ID,VGS 4 Ohm @ 1.15A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 8.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 250pF @ 25V
功率 - 最大 3.13W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D²PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3D2PAK
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 250 V
最大连续漏极电流 2.3 A
RDS -于 4000@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 8.5 ns
典型上升时间 40 ns
典型关闭延迟时间 12 ns
典型下降时间 25 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 D2PAK
最低工作温度 -55
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 4000@10V
最大漏源电压 250
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 D2PAK
最大功率耗散 3130
最大连续漏极电流 2.3
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.3A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 250V
供应商设备封装 D²PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4 Ohm @ 1.15A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.13W
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 250pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 8.5nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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